搜索筛选:
搜索耗时1.5457秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 19 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：韩名君,,
来源：铜陵职业技术学院学报 年份：2008
用TB6560HQ控制步进电机，实现步距角细分和各种工作状态的选择，并给出了其控制系统的软硬件设计方法。...
[学位论文] 作者：韩名君,,
来源：安徽大学 年份：2014
随着半导体制备工艺的高速发展,半导体器件的栅长不断减小,IC芯片所含的器件数目也在呈几何数字增长。目前器件的最小栅长已经达到10到20nm,短沟效应严重影响了器件特性,这给...
[学位论文] 作者：韩名君,
来源：安徽大学 年份：2009
随着科学技术的进步，人与人之间的联系与沟通，已由有线传送进步到无线传输，使得无线通讯系统蓬勃发展。无线通讯系统以工作的频率可以分成三个主要系统方块，分别是射频，中频，以及基......
[期刊论文] 作者：韩名君,张艳,,
来源：科技视界 年份：2017
本文根据电子信息科学与技术专业的培养目标,结合学生的知识结构特点,提出了一套软硬结合、由浅入深的ARM系统大实验的项目教学法实施方案。本文详细阐述了每个项目的设计要...
[期刊论文] 作者：韩名君,魏雪晴,
来源：科技视界 年份：2020
本文对IBC-SHJ电池背面的几何尺寸进行二维仿真和优化,得到缓冲层、发射极和背面场对J-V特性的影响,以及FF因子的变化,结论表明缓冲层获得最佳效率的宽度值为10nm附近,发射极...
[期刊论文] 作者：张同华,韩名君,
来源：长春大学学报 年份：2011
为提高嵌入式芯片汇编语言编码设计的水平,克服因语句结构本身的非结构化及存储分配的随意性所造成的困难,根据软件工程中结构化设计的规范,以MCS-51单片机汇编语言为例,提出...
[期刊论文] 作者：韩名君,柯导明,,
来源：电子学报 年份：2015
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm...
[期刊论文] 作者：韩名君,赵阳,柯导明,,
来源：安徽大学学报(自然科学版) 年份：2012
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知：部分重叠双...
[期刊论文] 作者：韩名君,高伟,周群利,
来源：科技信息 年份：2013
本文分析了目前高职院校的单片机课程改革的现状,然后提出了在校企合作模式下订单班单片机课程教学改革的具体方法。文中重点提出了校企联合制定教学计划,共同提供软件师资和...
[期刊论文] 作者：孟坚,柯导明,韩名君,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2013
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层...
[期刊论文] 作者：韩名君,代广珍,倪天明,
来源：山东师范大学学报（自然科学版） 年份：2021
随着集成电路工艺进入亚30 nm,鳍形场效应晶体管已经成为主流工艺结构,但是由于计算的复杂性其体硅结构的三维模型未有人给出过明确的解析式.本文提出体硅FinFET中沟道和氧化层的三维亚阈值电势、阈值电压的半解析模型,并考虑量子效应的影响,最后将模型与TCAD仿......
[期刊论文] 作者：张同华,韩名君,濮荣强,,
来源：长春师范学院学报 年份：2011
为提高实验中心的建设水平,根据省级电工电子实验教学示范中心建设的探索与实践,提出了实验项目是实验中心建设的基本单元,生产实践是实验内容革新的主要来源,教学师资理论与...
[期刊论文] 作者：刘培思,代广珍,韩名君,
来源：山东师范大学学报:自然科学版 年份：2020
TiO2作为光催化材料由于其带隙较大只能吸收380 nm以下的近紫外光,为了令锐钛矿TiO2更广泛应用于光催化领域中,需要对锐钛矿进行改进来增强其光吸强度甚至增加其对可见光的吸...
[期刊论文] 作者：张同华,李晓辉,韩名君,,
来源：长江大学学报(自然科学版) 年份：2011
为提高大学生的创新能力,结合电子信息专业的特点,提出在实验教学中通过增设让学生设想各种实验方案、评价现有实验方案、了解实验创新历史和独立完善实验内容等教学环节的方...
[期刊论文] 作者：韩名君,陈素芹,葛胜升,,
来源：科技信息 年份：2013
本文在TSMC018岸mCMOS工艺下，采用差分电路结构，通过功耗约束的噪声优化方法设计了一个2GHz下的CMOS无线射频接收模块低噪声放大器。本文使用限定功耗的噪声优化方法设计放大器...
[期刊论文] 作者：韩名君,李长波,钱峰,陶玉贵,,
来源：宿州学院学报 年份：2014
随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是误差大。基于二维电势模型，使用最小二乘法将......
[期刊论文] 作者：刘鑫 代广珍 姜永召 刘宇航 韩名君,
来源：牡丹江师范学院学报（自然科学版） 年份：2019
摘 要：研究组分变化中InxGa1xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1xN材料In组分含量，获得计算模型.计算结果表明，随着In组分的增加，价带结构发生改变，从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In......
[期刊论文] 作者：韩名君,柯导明,王保童,王敏,徐春夏,,
来源：电子学报 年份：2013
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开，把未知量求解转化成一组线性代数方程，得到了二维电势解析表达式，并给出了电势能极值点的计算方法。模型......
[期刊论文] 作者：韩名君,柯导明,迟晓丽,王敏,王保童,,
来源：物理学报 年份：2013
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半...
相关搜索：
