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[期刊论文] 作者：黄溥曼, 陈杰, 韩小标, 钟昌明, 潘郑州, 邢洁莹, 杨杭,,
来源：半导体技术 年份：2017
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[期刊论文] 作者：钟昌明, 邱运灵, 陈杰, 韩小标, 潘郑州, 黄溥曼, 梁捷智,
来源：半导体光电 年份：2017
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[期刊论文] 作者：黄溥曼,陈杰,韩小标,钟昌明,潘郑州,邢洁莹,杨杭,张佰君,,
来源：半导体技术 年份：2017
半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD)。通过测量SBD在不同温度下的I-V...
[期刊论文] 作者：钟昌明,邱运灵,陈杰,韩小标,潘郑州,黄溥曼,梁捷智,张佰君,,
来源：半导体光电 年份：2017
氮化镓基微盘结构光学谐振腔具有波长选择范围宽、模式体积小和激射阈值低等特点,其在腔量子电动力学、低阈值激光器、生物传感器等方面具有重要的研究价值。通过优化制备微...
Influence of adatom migration on wrinkling morphologies of AlGaN/GaN micro-pyramids grown by selecti
[期刊论文] 作者：陈杰,黄溥曼,韩小标,潘郑州,钟昌明,梁捷智,吴志盛,刘扬,张佰君,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Ga N micro-pyramids with AlGaN capping layer are grown by selective metal–organic–vapor phase epitaxy(MOVPE). Compared with bare Ga N micro-pyramids, AlGaN/Ga...
[期刊论文] 作者：陈伟杰,韩小标,林佳利,胡国亨,柳铭岗,杨亿斌,陈杰,吴志盛,刘扬,张佰君,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
Migration characterizations of Ga and In adatoms on the dielectric surface in selective metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) were investigated. In the typi...
[会议论文] 作者：柳铭岗,张佰君,杨亿斌,向鹏,陈伟杰,韩小标,林秀其,臧文杰,吴志盛,刘扬,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
GaN/InGaN基高In组分量子阱LED的生长是继蓝光GaN/InGaN量子阱LED之后备受关注的研究,但是相比蓝光LED,其发光效率,材料稳定性仍有一定差距.目前黄-绿光LED是LED产业的一个研究重点,但是其应用还不是非常广泛.而对于Si衬底因其尺寸大、规模效益高,成本低,已越来......
[期刊论文] 作者：杨杭,邢洁莹,陈伟杰,陈杰,韩小标,钟昌明,梁捷智,黄德佳,侯雅倩,吴志盛,张佰君,
来源：半导体光电 年份：2018
选择区域外延生长（SAG）技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中, Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移行为对微纳器件的形貌及特性有非常重要的影响。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统研究了选择区域外延生长中Ga原子在掩模介质表......
Influences of stress on the properties of GaN/InGaN multiple quantum well LEDs grown on Si(111) subs
[期刊论文] 作者：柳铭岗,杨亿斌,向鹏,陈伟杰,韩小标,林秀其,林佳利,罗慧,廖强,臧文杰,吴志盛,刘扬,张佰君,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The influences of stress on the properties of In GaN/GaN multiple quantum wells(MQWs) grown on silicon substrate were investigated.The different stresses were i...
[期刊论文] 作者：林秀其,柳铭岗,杨亿斌,任远,陈扬翔,向鹏,陈伟杰,韩小标,藏文杰,林佳利,罗慧,廖强,张佰君,,
来源：半导体光电 年份：2015
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,...
[会议论文] 作者：杨亿斌,林秀其,吴志盛,刘扬,张佰君,林艳,向鹏,柳铭岗,陈伟杰,韩小标,胡钢伟,胡国亨,臧文杰,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效率,其中一个有效的方法就是在LED的有源层和Si衬底......
[期刊论文] 作者：柳铭岗,王云茜,杨亿斌,林秀其,向鹏,陈伟杰,韩小标,臧文杰,廖强,林佳利,罗慧,吴志盛,刘扬,张佰君,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells(MQWs) light-emitting diodes(LEDs) are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded...
In-situ wafer bowing measurements of GaN grown on Si(111) substrate by reflectivity mapping in metal
[期刊论文] 作者：杨亿斌,柳铭岗,陈伟杰,韩小标,陈杰,林秀其,林佳利,罗慧,廖强,臧文杰,陈崟松,邱运灵,吴志盛,刘扬,张佰君,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this work, the wafer bowing during growth can be in-situ measured by a reflectivity mapping method in the 3×2 Thomas Swan close coupled showerhead metal org...
[会议论文] 作者：张佰君,陈扬翔,江健良,林秀其,藏文杰,林佳利,罗慧,廖强,刘扬,向鹏,柳铭岗,杨亿斌,陈伟杰,韩小标,胡钢伟,林艳,胡国亨,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
自上世纪90年代以来GaN基宽禁带化合物半导体材料和器件得到了迅猛的发展,但由于缺少GaN同质衬底材料,一直以来GaN基材料都是生长在异质衬底上.目前,商品化的GaN基材料和器件大多采用蓝宝石衬底.与蓝宝石衬底相比,Si衬底具有成本低、尺寸大、质量高、导热导电好......
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