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[期刊论文] 作者：顾成余,夏冠群,
来源：半导体技术 年份：1999
报道了ｎ型ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系，发现在负栅压状态下，沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区，并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大，过......
[期刊论文] 作者：顾成余,毛友德,夏冠群,赵建龙,
来源：半导体技术 年份：1999
报道了ｎ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系，发现在负栅压状态下，沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区，并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大，过渡......
[期刊论文] 作者：刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．The effect of back-gate effect on threshol......
[期刊论文] 作者：毛友德,顾成余,丁勇,宁王君,夏冠群,赵建龙,赵福川,
来源：半导体杂志 年份：2000
在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESFET夹断电压大小的主要因素 ,EL2能级对GaAsM...
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