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[期刊论文] 作者：毛大立,颜本达,,
来源：真空与低温 年份：1991
使用 PHI-610型扫描俄歇谱仪,研究了 Si 基底上的多层金属薄膜 Au/Ni,在不同退火温度下的冶金学行为。发现在380℃以下,薄膜及 Si 基底间无明显互扩散;而在380℃时,发生薄膜...
[期刊论文] 作者：李昆,颜本达,李鹏兴,,
来源：成都科技大学学报 年份：1992
本文研究了流变铸造法制备的 SiCp/LY12和 SiCp/5083Al 复合材料中SiC 颗粒的分布情况,发现在特定的工艺条件下,只有当 SiC 颗粒的体积分数处在一定的范围内。复合材料才能获...
[期刊论文] 作者：毛大立,颜本达,盛伯岭,,
来源：电子工艺技术 年份：1991
本文分析了硅功率管管芯背面金属处理的结构设计原则,介绍了用多层金焊薄膜(Au/Ni/Cr)作为新的金属化处理方案及实际使用效果,以有助于国产管芯背面处理方案的改进...
[期刊论文] 作者：李昆,金晓东,颜本达,李鹏兴,
来源：复合材料学报 年份：1992
本文通过对疲劳裂纹扩展速率的测试和对疲劳裂纹扩展路径及疲劳断口的观察分析,研完了SiC颗粒体积分数对SiCp/Al复合材料疲劳裂纹扩展的影响。结果表明:随着SiC颗粒体积分数...
[期刊论文] 作者：颜本达,史常忻,忻尚衡,周文英,
来源：半导体学报 年份：1988
高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄形有源层(10~(15)cm~(-2)),低能量,(...
[期刊论文] 作者：林栋梁,俞伟丽,颜本达,史常忻,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
WNx films with different composition are formed on Si(100) and GaAs (100) by the reactive rf sputtering in a mixed nitrogen-argon gas to study the influence of...
[期刊论文] 作者：林栋梁,吴建生,杨正瑞,颜本达,
来源：金属学报 年份：1981
用抛光的恒载荷试样对40CrNiMoA和AISI4330M两种高强度钢在水介质中应力腐蚀裂纹的产生和扩展进行了金相跟踪观察,研究了裂纹亚临界扩展的形貌。结果表明:表面裂纹前端产生阴...
[期刊论文] 作者：颜本达,吴建生,林栋梁,周以苍,
来源：金属学报 年份：1981
本文编制了各向异性介质中椭圆柱形夹杂物弹性能数值计算的通用程序。计算了立方晶系中,和方向夹杂物的弹性能,给出了三种夹杂物的弹性能方位分布曲线,并讨论了夹杂物形状和...
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