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东芝公司应用新的器件隔离技术试制1M位动态RAM 东芝公司由于采用了1.2μm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的1M位动态随机存取
[期刊论文] 作者：骆爱莲,
来源：微电子学 年份：1985
东芝公司由于采用了1.2/zm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的lM位动态随机存取存贮器。 为了在与原来拥吲...
[期刊论文] 作者：骆爱莲,
来源：微电子学 年份：1985
三菱电机研制并发表了用0.07μm的微细聚焦离子束“FIB”能够形成0.2μm以下的亚微米图形的基础技术。 该技术是作为4M位以上的动态RAM开发用的工艺而引人注目的基本工艺,当...
[期刊论文] 作者：骆爱莲,
来源：微电子学 年份：1985
最近,三菱电机公司开始出售大约238门至8096门的CMOS门阵列9个品种。 此门阵列是该公司使用以前培植起来的硅栅CMOS技术研制出来的,所以,通过采用微细CMOS结构工艺,该电路是...
[期刊论文] 作者：骆爱莲,
来源：微电子学 年份：1985
东芝公司首次试制了一种新颖结构的双极MOS FET,这种新结构的晶体管兼 备有MOS FET的高速响应及双极晶体管的大电流控制特性,器件可用于自动控制等要求大电流控制的地方。...
[期刊论文] 作者：骆爱莲,
来源：微电子学 年份：1985
东京芝浦电气研制并发表了采用1μm的微细加工技术等,在单片上集成了约160方元件的第二代超大规模集成电路(256k位CMOS静态RAM)。 这次研制的静态RAM尺寸为6.68mm×8.86mm,...
[期刊论文] 作者：骆爱莲,李聿川,,
来源：科技潮 年份：2001
朱丽成是羊城一位颇具传奇色彩的女画家。她下过乡,当过工人。42岁那年,她向亲戚借了3万多元港币,毅然远赴东洋自费学画。在日本历尽艰辛,历经6载春秋,她终于成为闯入日本画...
[期刊论文] 作者：骆爱莲,楚秀珍,
来源：微电子学 年份：1982
一、引言 目前使用的大量无位错直拉硅单晶中,主要的结晶学缺陷是微缺陷。随着电路集成度的迅速提高,器件的电作用区域日益缩小,开始由微米级向亚微米级发展,线变为微米级的...
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