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[学位论文] 作者：高丽烨,
来源：西北师范大学 年份：2023
阻变式随机存储器（RRAM）是替代传统Flash技术的有力候选者,其制备及忆阻性能的研究非常重要。同时,光刺激比单纯的电刺激对忆阻单元更具选择性,通过调节光照功率可以提高忆阻器件的存储容量,也可用于远距离操控。ZnO是一种具有较大结合能和直接宽带隙的二元金属氧......
[期刊论文] 作者：陈建彪, 高丽烨, 徐讲文, 杨春艳, 郭童童,
来源：西北师范大学学报(自然科学版 年份：2022
通过水热法成功合成取向生长的氧化锌纳米棒阵列,并制备了Cu/ZnO NRs/Zn结构的忆阻器件.研究结果表明,基于氧化锌纳米棒阵列的忆阻器表现出良好的双极阻变行为,并在光辐照下,有响应电流增大的光电协同刺激响应性,阻变机制为由空间电荷限制电流（SCLC）主导的电子型......
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