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[期刊论文] 作者：王勇,刘丹丹,冯国庆,叶镇,高占琦,王晓华,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
The second-order Bragg grating structure of an 808 nm distributed feedback semiconductor laser diode was designed and optimized.The grating with a period of 240...
[期刊论文] 作者：王勇,刘丹丹,冯国庆,叶镇,高占琦,王晓华,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
The multi-layer metals of Ni/Au Ge/Pt/Au with a Pt diffusion barrier layer of ohmic contact to n-GaAs were studied. The surface morphology and ohmic contact res...
[期刊论文] 作者：刘丹丹,王勇,叶镇,高占琦,张屿,王晓华,,
来源：半导体技术 年份：2014
针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统。扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合金...
[期刊论文] 作者：刘丹丹,王勇,叶镇,高占琦,张屿,王晓华,,
来源：中国激光 年份：2015
实验优化设计了808 nm分布反馈(DFB)半导体激光器的二级布拉格光栅结构,介绍了808 nm DFB半导体激光器光栅制备的工艺过程。采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在Ga As衬底片上...
[期刊论文] 作者：叶镇,王勇,高占琦,刘丹丹,庄允益,张思源,王晓华,,
来源：中国激光 年份：2015
基于Ga As衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30 s...
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