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[学位论文] 作者：魏家行,,
来源：东南大学 年份：2019
碳化硅（SiC）基功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）具有击穿电压高、导通电流大、开关速度快、功率损耗小、高温稳定性好等优点,被认为是最具前景的功率半导体器件之一。......
[学位论文] 作者：魏家行,
来源：西安电子科技大学 年份：2014
微波功率放大器在雷达、通信、航空航天、导航等诸多领域有着越来越广泛的应用。然而由于第一代和第二带半导体自身特性的限制,他们并不能完全胜任这些用途。由于具有抗辐照,...
[期刊论文] 作者：马荣晶,刘斯扬,魏家行,孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2015
为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容C_(gs)的影响,并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优化设计。结果表明:这种新......
[期刊论文] 作者：杨翰琪, 刘小红, 吕康, 魏家行, 孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2018
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为...
[期刊论文] 作者：宋海洋, 刘斯扬, 魏家行, 孙伟锋, 朱久桃,,
来源：电子器件 年份：2019
为了优化设计直接覆铜(Direct Bonded Copper,DBC)陶瓷基板的表面覆铜层尺寸,并评估覆铜层的极限电流能力,利用有限元仿真分析方法,研究了不同尺寸的DBC陶瓷基板表面覆铜达到...
[期刊论文] 作者：李胜,徐志远,魏家行,刘斯扬,孙伟锋,
来源：东南大学学报:英文版 年份：2018
研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区...
[期刊论文] 作者：曹梦逸,卢阳,魏家行,郑佳欣,马晓华,郝跃,
来源：null 年份：2014
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[期刊论文] 作者：赵博超,卢阳,魏家行,董梁,王毅,曹梦逸,马晓华,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The appearance of third-generation semiconductors represented by gallium nitride(GaN) material greatly improves the output power of a power amplifier(PA), but t...
[会议论文] 作者：卢阳,曹梦逸,魏家行,霍瑞斌,董梁,王毅,马晓华,郝跃,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文利用Triquint TGF2023 5mmGaN高电子迁移率器件,设计了一款高效率C波段内匹配功率放大器.整个放大器由1个5mm栅宽的GaN HEMT、制作在陶瓷基片上的输入输出匹配电路以及功率分配与合成器组成。为使其具有较高效率，使用L-C网络对二次谐波进行调制,使其负载阻抗......
[期刊论文] 作者：曹梦逸,卢阳,魏家行,陈永和,李卫军,郑佳欣,马晓华,郝跃,
来源：null 年份：2014
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[期刊论文] 作者：王宁,宋海洋,魏家行,刘斯扬,孙伟锋,朱久桃,余传武,朱袁正,,
来源：东南大学学报(自然科学版) 年份：2016
为了提升高功率应用下单相桥模块的热可靠性,利用有限元仿真分析方法,研究了模块的封装热特性,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的准确性和可靠性.结果表明：单相桥模块结...
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