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[期刊论文] 作者：李斌,魏汝省,田牧,,
来源：电子工艺技术 年份：2017
引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多...
[期刊论文] 作者：马康夫,王英民,李斌,魏汝省,
来源：电子工艺技术 年份：2016
采用碳硅直接反应并在生长过程中通氢气的方法来合成单晶生长用高纯Si C粉料。利用XRD、Raman、粒度测试仪和GDMS(辉光放电质谱仪)等测试手段来对合成粉料的物相、晶型、粒度...
[期刊论文] 作者：魏汝省,张峰,姚俊怡,
来源：中国军转民 年份：2018
军民融合是兴国之举、强军之策，把军民融合发展上升为国家战略，是我们党长期探索经济建设和国防建设协调发展规律的重大成果，习近平总书记的强军思想为构建新时代军民融合发展体......
[期刊论文] 作者：王英民,李斌,魏汝省,王利忠,,
来源：科技成果管理与研究 年份：2018
目前,市场上SiC基器件有光电子器件、功率器件和微波器件等三类产品,如PIN二极管、肖特基二极管、MESFET、MOSFET、晶闸管、SiC基发光二极管等.SiC器件的快速发展迫切需要价...
[期刊论文] 作者：靳霄曦,徐伟,魏汝省,王英民,
来源：超硬材料工程 年份：2019
碳化硅单晶材料硬度很高,用传统的切片方式难以加工、效率低下,多线切割是加工硬脆材料的有效方式,文章通过使用电镀金刚石线多线切割设备,进行了高线速度条件下快速碳化硅单...
[期刊论文] 作者：刘江,魏汝省,徐佳,徐现刚,王璞,,
来源：中国激光 年份：2011
报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得到稳定的重复频率为1.05MHz的自锁模脉冲,平...
[期刊论文] 作者：李斌,马康夫,王英民,魏汝省,毛开礼,徐伟,,
来源：电子工艺技术 年份：2017
采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子...
[期刊论文] 作者：王利忠, 李斌, 王英民, 魏汝省, 侯晓蕊, 张世伟,,
来源：电子工艺技术 年份：2019
研究了在N型4H-SiC的表面上引入炔基来提高表面的固定密度和稳定性的方法。炔基的引入可以为DNA探针在碳化硅表面固定做好铺垫,从而改善碳化硅表面生物活性,为制备碳化硅基生...
[会议论文] 作者：魏汝省,彭燕,陈秀芳,胡小波,徐现刚,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文研究了n型、V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化。采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T)，对比发现n型样品具羊...
[会议论文] 作者：王英民,魏汝省,王利忠,毛开礼,李斌,戴鑫,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
本文主要研究了通H含量对4H-SiC单晶生长速率、微管密度以及晶体中N含量的影响。研究结果表明,通H量与晶体生长速率呈线性关系,通H量不仅改变晶体生长过程中的C/Si,同时...
[期刊论文] 作者：侯晓蕊, 王英民, 李斌, 魏汝省, 刘燕燕, 田牧, 王程,
来源：电子工艺技术 年份：2019
采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响。实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多,晶片电阻率越低;冷却孔直径越小,掺氮量越...
[期刊论文] 作者：王英民,魏汝省,李斌,徐伟,王利忠,范云,张磊,,
来源：电子工艺技术 年份：2016
SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微电子器件和工作在高温、高频、高压、大功率...
[期刊论文] 作者：王利忠,王英民,李斌,魏汝省,毛开礼,高德平,,
来源：电子工艺技术 年份：2017
采用物理气相传输(PVT)法,通过改变石墨坩埚顶部结构,实现了低氮和硼碳化硅单晶生长的目标。对抛光后的4H-SiC晶片进行二次离子质谱(SIMS)测试,B和N的浓度相应降低1个和2个数...
[期刊论文] 作者：侯晓蕊, 王英民, 李斌, 魏汝省, 刘燕燕, 田牧, 王程,,
来源：电子工艺技术 年份：2019
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[期刊论文] 作者：侯晓蕊, 王英民, 魏汝省, 李斌, 王利忠, 田牧, 刘燕,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
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[期刊论文] 作者：云志强,魏汝省,李威,罗维维,吴强,徐现刚,张心正,,
来源：物理学报 年份：2013
利用飞秒激光直写微纳加工平台,对6H-SiC材料进行了突破衍射极限的微纳结构加工研究.使用中心波长和脉宽分别为800nm和130fs的钛蓝宝石激光器和荧光倒置显微镜搭建了飞秒激光...
[会议论文] 作者：云志强,李威,罗维维,吴强,张心正,魏汝省,徐现刚,
来源：第16届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：2012
...
[期刊论文] 作者：张丽强,卓壮,魏汝省,王云征,陈秀芳,徐现刚,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2014
A passively Q-switched tunable Yb-doped double-clad fiber laser is demonstrated with graphene epitaxially grown on SiC.The spectral tuning of the Q-switched fib...
[会议论文] 作者：彭燕, 胡小波, 徐现刚, 魏汝省, 徐化勇, 宋生, 高玉,
来源： 年份：2004
利用光学显微镜、显微拉曼光谱对4H-SiC晶体表面形貌和缺陷进行研究。4H-SiC单晶生长采用[0001]偏向方向8°的4H-SiC作为籽晶。显微镜观察结果显示小面的生长台阶...
[会议论文] 作者：胡小波, 彭燕, 陈秀芳, 宋生, 魏汝省, 王丽焕, 徐现,
来源： 年份：2012
SiC是第三代半导体材料的典型代表,它具有宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率、耐辐照、耐化学腐蚀等性能,在光电子和微电子领域均有重要的应用前景。与第...
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