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[会议论文] 作者：黄千驷,刘洪飞,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[会议论文] 作者：黄千驷,刘洪飞,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：黄千驷,刘洪飞,阎萍,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
该文介绍了一种在区熔硅单晶中掺镓的方法，掺镓量的计算以及单晶的制备工艺。还叙述了掺镓样品辐照试验情况及试验结果。...
[会议论文] 作者：阎萍,刘洪飞,黄千驷,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
对由区熔法制备的捅稼、掺硼Ｐ型硅单晶进行了中子、γ复合场及γ辐照实验，并将辐照前、后样品的电学参数变化进行了对比。结果表明，在复合场下，对不同掺杂的样品，电阻率变化的差异......
[会议论文] 作者：刘何燕,曲静萍,孟凡斌,黄千驷,李养贤,
来源：第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会 年份：2003
本文对区熔法进行改进,通过调节石英管的直径,装入石英管块材的大小及区熔工艺参数,制备出主要以〈110〉取向的PrTbDyFe棒材....
[会议论文] 作者：刘何燕,曲静萍,孟凡斌,黄千驷,李养贤,
来源：第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会 年份：2003
本文对区熔法进行改进,通过调节石英管的直径,装入石英管块材的大小及区熔工艺参数,制备出主要以〈110〉取向的PrTbDyFe棒材....
[会议论文] 作者：刘铁驹,潘梦霄,马巧云,杨帅,黄千驷,刘彩池,李养贤,李翔,沈浩平,胡元庆,李永章,牛胜利,李洪涛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
对间隙氧含量高达10atoms/cm的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降低硅中的间隙氧含量,同时可以提高硅的正电子湮没寿命,快中子剂量达到1×10n.cm后,辐照......
[会议论文] 作者：杨帅,孙建忠,郝秋艳,马巧云,刘铁驹,黄千驷,刘彩池,李养贤,李翔,沈浩平,胡元庆,李永章,牛胜利,李洪涛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
应用FTIR研究不同剂量快中子辐照直拉硅中的辐照缺陷和间隙氧的行为,实验中在485cm处发现了一个新的红外吸收峰,对辐照样品进行了100-1200℃ 1小时热处理初步确定这个吸收峰是与辐照缺陷相联系的,而与氧无关.......
[会议论文] 作者：马巧云,贾德贵,郝秋艳,杨帅,刘铁驹,黄千驷,刘彩池,李养贤,李翔,沈浩平,胡元庆,李永章,牛胜利,李洪涛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
快中子辐照将在硅中引入大量缺陷,辐照后在硅中形成的空位与硅中间隙氧结合形成了大量的空位-氧复合体(V—O).实验发现,辐照后硅中间隙氧含量明显降低,且间隙氧的减少量与辐照剂量成正比.这是由于辐照后硅中形成大量V-O的结果.在热处理过程中辐照缺陷可以作为氧......
[会议论文] 作者：刘铁驹[1]潘梦霄[1]马巧云[1]杨帅[1]黄千驷[1]刘彩池[1]李养贤[1]李翔[2]沈浩平[2]胡元庆[2]李永章[3]牛胜利[3]李洪涛[3],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
对间隙氧含量高达10atoms/cm的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降...
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