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[期刊论文] 作者：黄诗浩,,
来源：中国伤残医学 年份：2014
目的:探讨手法复位和小夹板固定治疗小儿肱骨髁上骨折的疗效。方法:应用手法复位、小夹板固定治疗小儿肱骨髁上骨折。结果:本组病例45例经随访3~9个月,优33例,良8例,优良率达...
[学位论文] 作者：黄诗浩,
来源：大连医科大学 年份：2021
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[期刊论文] 作者：黄诗浩,杨子锦,
来源：吉林医学 年份：2014
目的：探讨手法整复双层夹板固定治疗前臂双骨折的应用效果。方法：采用手法复位后双层夹板方法固定方法治疗前臂双骨折。结果：63例全部复位成功，且多数为一次性复位成功，X 线证实均......
[期刊论文] 作者：黄诗浩, 孙钦钦,,
来源：福建电脑 年份：2019
福建工程学院电子信息与电气技术国家级实验教学示范中心以培养“基础扎实、工程实践能力强、适应面广”的应用型人才为出发点,在工程教育专业认证理念的指导下,《电工与电子...
[期刊论文] 作者：黄诗浩,宋子华,
来源：包头医学院学报 年份：2015
目的：探讨镍钛记忆合金聚髌器在髌骨粉碎性骨折治疗中的应用效果。方法：选取2009年1月至2014年6月期间接受治疗的髌骨粉碎性骨折患者50例,随机分配为观察组与对照组,每组各25例...
[期刊论文] 作者：孙钦钦,黄诗浩,
来源：激光与光电子学进展 年份：2020
采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表明:在 (001)、(110)晶面施加双轴张应变以及[001]晶向施加单轴张应变时,直接带隙Γ能谷的下降速度快于间接带隙L能谷;在 (111)晶面......
[期刊论文] 作者：何兴理,黄诗浩,林金阳,
来源：福建工程学院学报 年份：2020
首先基于PEI基板磁控溅射ZnO薄膜,再在薄膜上的两端制备叉指电极,探讨了不同的叉指间距对这种柔性器件的影响。研究发现,当两个叉指式换能器(IDT)之间的距离增加时,谐振器的...
[期刊论文] 作者：雷国伟,黄诗浩,游荣义,,
来源：太原理工大学学报 年份：2009
以常用的几种数字调制为例介绍自适应调制技术，分别采用改进型遗传算法（GA）和随机微粒群算法（PSO），在恒定功率以及平均误比特率受限的情况下对系统的吞吐量进行优化，从而精确实时地......
[期刊论文] 作者：黄诗浩,李磊毅,谢文明,汪涵聪,陈炳煌,,
来源：福建工程学院学报 年份：2017
提出了采用Ge/Ge（0.85）Si（0.15）量子阱结构制备Ge材料直接带隙发光器件的设计方法。基于量子力学理论,设计得到不同量子阱宽度下的能级分布情况以及载流子在Γ1-HH1之间的复合随...
[期刊论文] 作者：杨鑫,黄诗浩,李建刚,欧海燕,谢文明,林金阳,,
来源：贵州大学学报(自然科学版) 年份：2021
针对受损情况下的一维条形码识别问题,基于线扫描技术提出一种准确、稳定、高效的识别方法。分析了一维条形码EAN码制的解码原理以及用线扫描方式处理一维条形码信息的过程;根据一维条形码出现的污点、划痕、弯曲等受损情况,设计了对应的算法,并且应用线扫描技......
[期刊论文] 作者：李建刚,黄诗浩,郑启强,杨鑫,黄靖,周伯乐,,
来源：应用光学 年份：2021
针对工业实际项目提出一种高效、准确的二维码识别方法,并开发了基于机器视觉的二维码高速、批量识别系统。首先根据被测二维码在目标子空间内的位置,提出利用几何关系定位每个二维码感兴趣区域并批量处理二维码的方法。在此基础上,采用添加高斯噪声的方式模拟......
[期刊论文] 作者：黄诗浩,孙钦钦,黄巍,谢文明,汪涵聪,林抒毅,
来源：材料科学与工程学报 年份：2018
本文基于形变势理论构建（001）面双轴应变Ge材料的能带结构模型。计算结果表明（001）面双轴应变可以将Ge的能带从以L能谷为导带底的间接带半导体调控到以Δ4能谷为导带底的间接带半......
[期刊论文] 作者：黄剑辉,曹丽华,刘涛,林国涛,黄诗浩,李思颖,
来源：精细化工 年份：2021
过渡金属催化碳氢键后官能团化逐渐发展成为合成化学领域最有效的工具之一,是现代药物研发的重要组成部分,可以对生物活性分子进行高效且具有选择性地衍生.从C—C、C—O和C—...
[期刊论文] 作者：黄诗浩,孙钦钦,谢文明,汪涵聪,林抒毅,陈炳煌,,
来源：半导体技术 年份：2017
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓...
[期刊论文] 作者：陈城钊,陈阳华,黄诗浩,李成,赖虹凯,陈松岩,,
来源：光电子.激光 年份：2012
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11...
[期刊论文] 作者：黄诗浩,李成,陈城钊,郑元宇,赖虹凯,陈松岩,,
来源：物理学报 年份：2012
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及...
[期刊论文] 作者：黄诗浩,李成,陈城钊,郑元宇,赖虹凯,陈松岩,,
来源：半导体光电 年份：2011
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该...
[期刊论文] 作者：陈城钊,郑元宇,黄诗浩,李成,赖虹凯,陈松岩,,
来源：物理学报 年份：2012
利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光...
[期刊论文] 作者：严光明, 李成, 汤梦饶, 黄诗浩, 王尘, 卢卫芳, 黄巍,,
来源：物理学报 年份：2013
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[会议论文] 作者：黄诗浩,李成,陈城钊,郑元宇,陈松岩,赖虹凯,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光......
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