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[期刊论文] 作者：陈畅生,龚茂枝,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The presence of metallic contaminations such as Au, Cu, Ti, Ni, etc. during silicon device processing often causes junction breakdown and soft reverse voltage b...
[期刊论文] 作者：朱秋萍,方志豪,龚茂枝,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：1994
考虑到小尺寸ＭＯＳ（金属－氧化物－半导体）场效应管耗尺区电荷和空间电荷的减少，推导出了小尺寸ＭＯＳ场效应管弱反型漏极电流的解析表示式，用来描述漏极饱和电流随漏极电压上升而增大的现象，理论......
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