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双腔室分子束外延复合体在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结生长中的应用
[期刊论文] 作者：A. Alexeev,D.Baranov,S.Petrov,, 来源：电子工业专用设备 年份：2010
半导体光电子学是当前科技发展最快的一个领域,光电子器件的增长需要加强新材料技术的研究与开发,Ⅲ -Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族纳米结构生长的双腔室分子束外延复合体是目前工艺设备一...
新一代STE分子束外延系统
[期刊论文] 作者：A. Alexeev,A. Filaretov,V. Cha, 来源：电子工业专用设备 年份：2010
Method of Molecular Beam Epitaxy (MBE) is based on the growth of semiconductor layers by effusion source components evaporation under ultrahigh vacuum (10～11 Tor...
新一代STE分子束外延系统(英文)
[期刊论文] 作者：A. Alexeev,A. Filaretov,V. Chaly,Yu. Pogorelsky,, 来源：电子工业专用设备 年份：2010
Method of Molecular Beam Epitaxy (MBE) is based on the growth of semiconductor layers by effusion source components evaporation under ultrahigh vacuum (10～11 Tor...
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