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Fully transparent thin film transistor based on Y2O3/In2O3 with isovalent cations and favorable cond
[会议论文] 作者：H.T.Cao,H.Z.Zhang,A.H.Chen,L.Y.Liang,Z.M.Liu,Z.Yu,Q.Wan,
来源：第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份：2010
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Fully transparent thin film transistor based on Y2O3/In2O3 with isovalent cations and favorable cond
[会议论文] 作者：H.T.Cao,H.Z.Zhang,A.H.Chen,L.Y.Liang,Z.M.Liu,Z.Yu,Q.Wan,
来源：第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份：2010
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