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P-type doping for n-type silicon solar cells
[会议论文] 作者：A.H.G.Vlooswijk,P.Venema,R.C.G.Naber, 来源：2014第十届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2014
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Passivated contact technology based on LPCVD polysilicon for high-efficiency n-PERT solar cells
[会议论文] 作者：Ronald NABER,M.LENES,A.H.G.VLOOSWIJK,J.R.M.LUCHIES,Z.QIAN,F.ZHENG,J.LIN,Z.ZHANG, 来源：SNEC 第十届(2016)国际太阳能产业及光伏工程(上海)论坛 年份：2016
We present an n-PERT solar cell technology that uses thin LPCVD polysilicon layers to obtain a passivated rear side contact by capping the layers with PECVD SiNx:H layers and contacting them with stan...
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