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[期刊论文] 作者：Duncan Grant,Allan Tregidga,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1987
采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用。随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加。在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞...
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