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Structural and optical properties of m-plane ZnO films grown on LiAlO2 (100) substrates by pulsed la
[会议论文] 作者：J.Elanchezhiyan,K.R.Bae,W.J.Lee,B.C.Shin,F.K.Shan,H.S.Kim,
来源：第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份：2010
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Structural and optical properties of m-plane ZnO films grown on LiAlO2 (100) substrates by pulsed la
[会议论文] 作者：J.Elanchezhiyan,K.R.Bae,W.J.Lee,B.C.Shin,F.K.Shan,H.S.Kim,
来源：第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份：2010
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[期刊论文] 作者：LIU Ao,LIU Guo-Xia,SHAN Fu-Kai,ZHU Hui-Hui,B.C.Shin,W.J.Lee,C.R.Cho,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
InTiZnO thin-film transistors (ITZO TFTs) with Al2O3 gate dielectrics are fabricated by magnetron sputtering at room temperature.The bottom-gate-type ITZO TFTs...
[会议论文] 作者：张倩,刘国侠,单福凯,耿广州,谭惠月,刘奥,B.C.Shin,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
非晶金属氧化物薄膜晶体管由于其优异的特性,在平板显示器领域拥有广阔的应用前景.本文采用脉冲激光沉积技术在热氧氧化后的p型Si衬底上制备InTiZnO半导体薄膜作为薄膜晶体管的有源层,进而成功制备了底栅顶接触的InTiZnO薄膜晶体管.......
[会议论文] 作者：谭惠月,刘国侠,单福凯,刘奥,张倩,耿广州,B.C.Shin,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
氧化铟是一种宽带隙半导体材料,具有高的可见光透过率和高的单晶体迁移率,这些特点使得In2O3在制作高性能TFT方面具有很大优势.而ZnO薄膜由于存在氧空位和锌填隙的缺陷,使得室温下很难生长出高结晶质量的薄膜,因此我们采用单纯的In2O3薄膜作为有源层.用热氧化的......
[会议论文] 作者：刘奥,刘国侠,单福凯,朱慧慧,谭慧月,张倩,耿广州,B.C.Shin,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
采用脉冲激光沉积技术在P型Si衬底上生长Al2O3栅绝缘层,利用射频磁控共溅射技术制备非晶InTiZnO半导体薄膜作为沟道有源层,成功制备了底栅结构的薄膜晶体管....
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