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[期刊论文] 作者：H.Hatfnagel,B.L.Weiss,张铁桥,,
来源：半导体情报 年份：2004
由于位错对砷化镓单晶的性质有害,因此对某些器件制作(尤其耿二极管制作)工艺过程在材料中引进的位错作了研究。这里所考虑的制作工艺过程包括热压键合、加热、淬火、接触材...
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