搜索筛选:
搜索耗时3.4315秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：C.Hurtes,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：2004
采用 Ga/AsCl_3/H_2汽相外延在掺杂半绝缘衬底上生长 FET 的缓冲层。用霍耳、光霍尔、阴极荧光以及新的深能级瞬态电流法(DLTS)研究了缓冲层的双层结构。此双层结构由上层的...
相关搜索：
