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[期刊论文] 作者：陈维,韩清源,Robert Most,Carlo Waldf,
来源：电子工业专用设备 年份：2003
为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散.如所期望的那样,O-SiC膜可用...
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