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[期刊论文] 作者:周世芳,李炳宗,Paul Chu,Clive M.Jones,
来源:电子学报 年份:1991
本工作研究了同时形成polycide栅,源/漏硅化钛接触和浅PN结的MOS器件制造技术。实验结果表明,通过硅化钛薄膜注入As,并利用NH_3等离子体辅助热退火(NPTA)工艺,可制备性能良好...
[期刊论文] 作者:周世芳,李炳宗,Paul Chu,Clive M.Jones,
来源:电子学报 年份:1991
本工作研究了同时形成polycide栅,源/漏硅化钛接触和浅PN结的MOS器件制造技术。实验结果表明,通过硅化钛薄膜注入As,并利用NH_3等离子体辅助热退火(NPTA)工艺,可制备性能良好...
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