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[会议论文] 作者：Chunhai Yin,Chao Liu,Dongyan Tao,Yiping Zeng,尹春海,刘超,陶东言,曾一平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质,在X射线衍...
[会议论文] 作者：Chunhai Yin,尹春海,Chao Liu,刘超,Dongyan Tao,陶东言,Yiping Zeng,曾一平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质,在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有第二相出现,拉曼散射结果表明离子注入引入的晶格缺陷不......
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