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[期刊论文] 作者：李晓勤,林成鲁,杨根庆,周祖尧,邹世昌,E.Ktai,
来源：核技术 年份：1991
本文用掠角背散射沟道分析技术研究了能量为147keV,剂量为2×10~(15)/cm~2,束流为20—140μA(束流强度0.41—2.86μA/cm~2)的BF_2~+注入后的Si样品,分析了离子注入损伤的深度...
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