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[期刊论文] 作者:R.P.Vasquez,F.J.Grunthaner,董世川,, 来源:红外技术 年份:2004
一、引言窄禁带材料的MOS工艺需要寻找击穿特性合适的、化学稳定性好的高质量介质膜。但是大多数III—V族化合物半导体的原生氧化物化学计量比不稳定,组分不均匀,易水解。因...
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