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Ni单晶与外延生长In膜界面化合物的形成
[期刊论文] 作者：丁训良,Platzer R,Whrmann U,Fink R,Krausch G,Luckscheiter B,Voigt J,Schatz G,, 来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
用扰动γγ角关联方法研究了低指数Ni单晶衬底与外延生长In膜界面的互扩散和界面化合物的形成。与Ni/In薄膜系统的结果进行了比较.除观察到相图中已知的全部Ni/In化合物外,发...
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