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HfOx and TaOx based resistive RAM by molecular beam epitaxyfrom oxygen engineering to a future non-v
[会议论文] 作者：S.U.Sharath,S.Vogel,P.Komissinskiy,E.Hildebrandt,M.J.Joseph,L.Molina-Luna,G.Niu,T.Schroeder,L.Alff,
来源：The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际 年份：2016
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