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[期刊论文] 作者：G.R.Antellison,程泰平,
来源：半导体光电 年份：1985
将台面和平面技术结合能够使InGaAs/InP探测器得到扩散掩蔽和随后的SiO_2膜钝化,且不会使暗电流恶化。100℃下初步寿命测试是令人鼓舞的。Combining mesa and planar techn...
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