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[会议论文] 作者：GangChen[1]陈刚[2]QuanhuiWang[1]王泉慧[2]LiLi[1]李理[2]HaiqiLiu[1]刘海琪[2]SongBai[1]柏松[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻...
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