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[期刊论文] 作者：Gary L.Patton,李秀清,,
来源：半导体情报 年份：1993
报道了具有最高单位电流增益截止频率(f_T)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作。器件的f_T值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(R_(bi))17kΩ/□,发射极宽0.9μm。该器...
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