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[期刊论文] 作者:Brian Martin,Graham Arthur,万力, 来源:电子工业专用设备 年份:2000
综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差 ,采用光刻模拟程序计算。采用顶层和底层抗反射涂层与否 ,对从 36 5nm曝光的 0 .40 μm到 193nm曝光的 0 .2 2 5 μm范围抗...
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