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[期刊论文] 作者：李兴,梁家昌,H．ThermanHenderson,
来源：天津职业技术师范学院学报 年份：2000
使用深掺杂方法在Si材料中掺入Au原子后，其电阻率随温度T的变化关系从主要依赖于T^-3/2项的浅掺杂材料变成主要依赖于exp(-E／KT)项的深掺杂材料，从而大幅度地提高了掺金Si材料对...
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