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[期刊论文] 作者：陈维德,H.Bender,H.E.Maes,
来源：半导体学报 年份：1990
本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧...
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