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[期刊论文] 作者：H.E.Oldhamtridge,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：2004
本文的第Ⅰ部分发表在《Solid State Technology》杂志 1984, No.6上。在这第Ⅱ部分中,作者着重于电路设计考虑。单晶硅或绝缘衬底上的单沟MOS和CMOS是讨论的主要目标。毫无...
[期刊论文] 作者：H.E.Oldhamtridge,薛忠杰,
来源：微电子学 年份：1985
本文详细参考了从基本的工艺和电路设计考虑出发所受到的区限,对VLSI半导体工艺提出比较。主要讨论的内容有单晶硅衬底和绝缘衬底上的单沟MOS工艺及CMOS工艺。从制造工艺的观...
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