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[期刊论文] 作者:H.Fukui,徐建国,, 来源:半导体情报 年份:2004
本文提出了第一篇综合研究铝栅和氮化硅钝化的功率GaAsFET可靠性的报告。总共265只标准的6mm栅宽器件,在直流偏置状况下,分别加射频激励和不加射频激励,做沟道温度为250℃、2...
[期刊论文] 作者:H.Fukui,张友渝,, 来源:半导体情报 年份:2004
本文描述了一种确定砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)有源沟道基本性质的新方法。有效栅长、沟道厚度以及载流子浓度是根据器件直流参数确定的。给出了测量直流参...
[会议论文] 作者:Ling Yin,H.Fukui,H.Suga,K.Kageyama, 来源:2008年中日及泛亚太地区菌物学论坛(China-Japan Pan Asia Pacific Mycology For 年份:2008
[期刊论文] 作者:周成虎,罗格平,李策,汤奇成,励惠国,王钦敏,H.Fukui,, 来源:地理研究 年份:2001
文章从自然和人类活动两方面分析了自1958年以来博斯腾湖环境变化。认为:近40年来,自然因素对湖水位变化的影响力要大于人为活动对湖水位变化的贡献,绿洲开发引起的入湖水量减少......
[期刊论文] 作者:周成虎,罗格平,李策,汤奇成,励惠国,王钦敏,H.Fukui, 来源:地理研究 年份:2001
文章从自然和人类活动两方面分析了自 1 958年以来博斯腾湖环境变化。认为 :近 40年来 ,自然因素对湖水位变化的影响力要大于人为活动对湖水位变化的贡献 ,绿洲开发引起的入...
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