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[会议论文] 作者：Haiwu Zheng,Renkui Zheng,
来源：第二届纳米能源与纳米系统国际会议(NENS2016) 年份：2016
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[期刊论文] 作者：Haiwu ZHENG,Junjie ZHU,Zhuxi F,
来源：材料科学技术：英文版 年份：2005
3C-SiC films have been deposited on Si (111) substrates by the Iow-pressure vertical chemical vapor deposition (LPVCVD) with gas mixtures of SiH4, C3H8 and Ha....
[期刊论文] 作者：Haiwu ZHENG,Junjie ZHU,Zhuxi F,
来源：材料科学技术学报（英文版） 年份：2004
3C-SiC films have been deposited on Si (111) substrates by the Iow-pressure vertical chemical vapor deposition (LPVCVD) with gas mixtures of SiH4, C3H8 and Ha....
[会议论文] 作者：Zhicong Lv,吕志聪,Yu Tian,田宇,Haiwu Zheng,郑海务,Weifeng Zhang,张伟风,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发展以及应用工艺，使其在稀磁半导体材料中具有潜在的应用前景。在本文中，采用溶胶。凝胶碳热还原法、气-固(VS)生长法、离子注入法分别......
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