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[期刊论文] 作者：Eun-Ha Kim,Hali Forstner,Norma,
来源：集成电路应用 年份：2007
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑制短沟道效应并尽量减小结的Rs。Ni的硅化物......
[期刊论文] 作者：Eun-Ha Kim,Hali Forstner,Norman Tam,Sundar Ramamurthy,Susan Felch,,
来源：集成电路应用 年份：2007
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻(Rs)和硅源/漏(S/D)区域的接触电阻。对于90nm以下的器件,S/D区域还要求是重掺杂的超浅结,以抑制Salicide is commonly used t...
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