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[期刊论文] 作者：IrV.,SJC,高国龙,
来源：红外 年份：1994
4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,...
[期刊论文] 作者：Irv.,SJC,高国龙,
来源：红外 年份：1994
概述了用于制备碲镉汞焦平面列阵的金属有机汽相外延生长(MOVPE)技术的一些主要发展步骤。原始有机金属纯度的提高,已可以使本底施主浓度达到10~(14)cm~(-3)的程度,同时还允...
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