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[期刊论文] 作者：J.I.Steinfeld,B.Roop,D.Harradine,L.Terminello,,
来源：中国激光 年份：2004
硅与硅氧化物表面的反应侵蚀是制作微电子设备中的重要步骤,通常在碳氟化合物等离子体中完成。此时会产生大量的反应成份,从而给阐明侵蚀机构的细节造成极大的困难。同时,存...
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