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[期刊论文] 作者：万小涵,张广清,John Sharp,Oleg Ostrov,
来源：有色金属工程 年份：2015
碳热还原/氮化合成氮化硅在1450-1650℃、氮气分压700-1100kPa下进行。非晶二氧化硅与石墨粉末以n（C）/n（SiO2）=4.5比率混合、压片。样品中的氧、氮、碳含量通过LECO元素分析仪测...
[期刊论文] 作者：万小涵,张广清,John Sharp,Oleg Ostrov,
来源：有色金属工程 年份：2004
碳热还原/氮化合成氮化硅在1 450～1 650℃、氮气分压700～1 100 kPa下进行.非晶二氧化硅与石墨粉末以n(C)/n(SiO2)=4.5比率混合、压片.样品中的氧、氮、碳含量通过LECO元素分析...
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