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[期刊论文] 作者：Jonathan Dodge,
来源：电子产品世界 年份：2003
引言具有MOS电路易于驱动、低导通损耗等特点的IGBT管目前主要应用于高电压、强电流电力电子领域.新型PTIGBT管将开关损耗与导通损耗协调得更加合理,凭其技术优势已经能够占...
[期刊论文] 作者：Jonathan Dodge,张建,
来源：电子产品世界 年份：2004
引言具有MOS电路易于驱动、低导通损耗等特点的IGBT管目前主要应用于高电压、强电流电力电子领域。新型PTIGBT管将开关损耗与导通损耗协调得更加合理,凭其技术优势已经能够占...
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