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[期刊论文] 作者:刘平,李炳宗,姜国宝,黄维宁,沈孝良,R.Aitken,K.Daneshvar,
来源:半导体学报 年份:1992
本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行为等进行了分析.制备的COSi_2薄膜电阻率达15...
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