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[期刊论文] 作者：K.Naruke,罗浩平,
来源：微电子学 年份：2004
本文研究了用稳态的C_0~(60)对采用热解和干法栅氧化制作的多晶硅栅MOS电容器进行辐照时,栅氧化温度对电容器的辐照诱生平带和阈值电压漂移以及界面态建立的影响。在850℃下...
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