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[期刊论文] 作者：汤伟,朱定一,Lee Seung-Hyeob,
来源：山东陶瓷 年份：2003
SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔.本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节....
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