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[期刊论文] 作者：M.Le Brun,关久辉,,
来源：半导体情报 年份：1985
我们描述了异质结二维电子气 FET 单级单片电路放大器的制作。同样的电路结构已经在传统的 GaAsFET 片子上实现,因此可以对两种材料作直接比较。在 X 频段,两种电路显示出较...
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