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[期刊论文] 作者：M．Rahimo,A．Kopta,R．Schnell,U．S,
来源：电力电子 年份：2007
随着采用1700V-SPT（软穿通）IGBT LoPak密集型封装结构模块类型，和为了进一步开发利用新的1700V—SPT IGBT和二极管芯片的特性，出现了新的封装类型的模块：即电压1700V，电流额定值为2...
[期刊论文] 作者：M.Rahimo,A.Baschnagel,A.Kopta,E.,
来源：电力电子 年份：2020
...
[期刊论文] 作者：Th.Stiasny,P.Streit,M.Rahimo,E.Carroll,李永建,,
来源：电力电子 年份：2007
为了改进电力电子系统的性能、减小其尺寸以及降低成本,大功率半导体器件将继续朝着高电压和大电流容量的方向发展。IGCT也不例外。本文描述具有电压额定值为4.5kV～6.5kV的一...
[期刊论文] 作者：M.Rahimo,A.Kopta,R.Schnell,U.Schlapbach,R.Zehringer,S.Linder,苑莉,,
来源：电力电子 年份：2007
随着采用1700V-SPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型,和为了进一步开发利用新的1700V-SPTIGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值...
[期刊论文] 作者：M.Rahimo,A.Kopta,R.Schnell,U.Schlapbach,R.Zehringer,S.Linder,苑莉,,
来源：变频器世界 年份：2007
随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额...
[期刊论文] 作者：C.Corvasce,A.Kopta,M.Rahimo,A.Baschnagel,S.Geissmann,R.Schnell,吴立成,周东海,,
来源：电力电子 年份：2011
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质...
[期刊论文] 作者：吴立成,周东海,C.Corvasce,A.Kopta,M.Rahimo,A.Baschnagel,S.Geissmann,R.Schnell,,
来源：电源世界 年份：2012
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子...
[期刊论文] 作者：A.Kopta,M.Rahimo,R,Schnell,M,Bayer,U.Schlapbach,J.Vobecky,门永娟,王传敏,,
来源：电力电子 年份：2010
本文阐述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(Bimode Insulated Gate Transistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流...
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