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,The temperature dependence of single-event transients in 90-nm CMOS dual-well and triple-well NMOSF
[期刊论文] 作者：Li Da-Wei,Qin Jun-Rui,Chen Shu-Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,The supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset in advanced complementar
[期刊论文] 作者：Li Da-Wei,Qin Jun-Rui,Chen Shu-Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Ding Yi,Hu Jian-Guo,Qin Jun-Rui,Tan Hong-Zhou,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
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,Recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide semiconductor static random ac
[期刊论文] 作者：Qin Jun-Rui,Chen Shu-Ming,Liang Bin,Liu Bi-Wei,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Liu Zheng,Chen Shu-Ming,Chen Jian-Jun,Qin Jun-Rui,Liu Rong-Rong,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Qin Jun-Rui,Chen Shu-Ming,Li Da-Wei,Liang Bin,Liu Bi-Wei,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
In this paper,we investigate the temperature and drain bias dependency of single event transient (SET) in 25-nm fin field-effect-transistor (FinFET) technology...
,The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transien
[期刊论文] 作者：Qin Jun-Rui,Chen Shu-Ming,Liu Bi-Wei,Liu Zheng,Liang Bin,Du Yan-Kang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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