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[期刊论文] 作者：J M Greene,R M H Smith,L M Dev,
来源：中国电子商情：基础电子 年份：2017
氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。如图1所示,Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50μm GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6 x 7.2mm DFN（双...
[期刊论文] 作者：J M Greene,R M H Smith,L M Devlin,R Santhakumar,R Martin,,
来源：中国电子商情(基础电子) 年份：2017
氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。如图1所示,Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50μm GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6 x 7.2mm DFN(双...
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