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[期刊论文] 作者：R.A.Logen,张瑞华,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文报导了通过在有源层的两边引入InGaAsP(λ=1.1μm)包层,使InGaAsP(λ=1.3μm)新月型激光器的性能得到显著改进的有关情况。以很好的重复性和很高的成品率生长的这些激光...
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