搜索筛选:
搜索耗时3.7741秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：R.D.Fairman,吕云安,,
来源：半导体情报 年份：2004
PCl_3/In/H_2的最新工作是揭示PCl_3克分子分数和质量输运效应对外延生长速度和净掺杂影响的互变关系。介绍了用改进了的比早期AsCl_3/Ga/H_2工艺更为适用的技术所进行的高纯...
[期刊论文] 作者：R.D.Fairman,严振斌,,
来源：半导体情报 年份：2004
用一个与 AsCl_3、Ga、H_2方法相似的新的卤化物输运法生长了高阻掺铬外延缓冲层。在改善表面性能和控制由铬引起的生长缺陷方面显示出了良好效果。可重复地获得薄层电阻大于...
相关搜索：
