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[期刊论文] 作者：Y.Nemirovsky,R.Goshem,高仲侠,,
来源：红外技术 年份：2004
本文叙述一种在Hg_(1-x)Cd_xTe上形成氧化薄膜的新的等离子氧化工艺。测量了用自身氧化膜形成的金属——绝缘层——半导体器件的电学特性。这种氧化膜有相当低的固定表面电荷...
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